企业简介
晶能光电(江西)有限公南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心江风益课题组研制成功的“硅衬底发光二极管材料及器件”为技[生主营
晶能光电（江西）有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10746486 |  |
DSLM | 2012-04-10 | 灯；路灯；汽车防眩光装置(灯配件)；照明器械及装置；运载工具用照明装置；冷却设备和装置；空气冷却装置；干燥设备；电加热装置；太阳能热水器 | 查看详情 |
晶能光电（江西）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN301121292D | 换针器 | 2010.01.27 | 1.主视图与后视图对称，省略后视图。底面没有设计要点，省略仰视图。2.此外观设计的产品的说明：用于更 |
| 2 | CN101378102A | 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件 | 2009.03.04 | 本发明的一个实施例提供一种基于氮化镓(GaN)的半导体发光器件(LED)，包括：n型基于GaN的半导 |
| 3 | CN100338790C | 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法 | 2007.09.19 | 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形 |
| 4 | CN101221898A | 用于制造具有高质量表面的金属衬底的方法 | 2008.07.16 | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造高质量金属衬底的方法。在操作期间，该方法包括清洗已抛光的单晶衬底 |
| 5 | CN101378101A | 在p型III-V氮化物材料上制造低电阻率欧姆接触的方法 | 2009.03.04 | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造具有欧姆接触层的III－V族氮化物结构的方法。该方法包括制造具有 |
| 6 | CN101330118A | 用于制造p型半导体结构的方法 | 2008.12.24 | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造III－V族p型氮化物结构的方法。该方法包括在第一生长环境中生长 |
| 7 | CN101488553A | 硅胶保护的发光二极管芯片及其制造方法 | 2009.07.22 | 本发明公开了一种硅胶保护的发光二极管芯片及其制造方法。本发明使在生产过程中可以避免或减少出现粘片、堵 |
| 8 | CN101664731A | 实现半导体圆片连续涂胶的方法及其净化系统 | 2010.03.10 | 本发明提供一种实现半导体圆片连续涂胶的方法及其净化系统，用来提高半导体涂胶的效率，同时净化工作间的空 |
| 9 | CN101626057A | 发光半导体的互补电极结构及其制造方法 | 2010.01.13 | 本发明提供一种发光半导体的互补电极结构及其制造方法，其涉及发光半导体领域，用以解决由电极投影区域引起 |
| 10 | CN301070628D | 装片篮 | 2009.12.02 | 1.后视图、左视图、右视图与主视图相同，省略后视图、左视图和右视图。2.此外观设计的产品的说明：用于 |
| 11 | CN101502835A | MOCVD设备内石墨基座的清洗方法 | 2009.08.12 | 本发明公开了一种MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，该方法用来清洗MOCVD设备的石墨基座，通过该方 |
| 12 | CN101452983A | 硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮 | 2009.06.10 | 本发明提供了硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮，解决了生产效率低下的问题。其中方法包括如下过程 |
| 13 | CN100474641C | 具有内陷电极的半导体发光元件 | 2009.04.01 | 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的 |
| 14 | CN100474642C | 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法 | 2009.04.01 | 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的 |
| 15 | CN101373804A | 具有放电结构的LED芯片 | 2009.02.25 | 本发明提供一种具有放电结构的LED芯片，该芯片主要用来解决芯片在静电等高压情况下释放电荷、对芯片进行 |
| 16 | CN101373805A | 具有过压保护结构的发光二极管芯片 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种具有过压保护结构的发光二极管芯片，该芯片用来解决在超过芯片额定电压情况下的对芯片的过 |
| 17 | CN100463240C | 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 | 2009.02.18 | 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬 |
| 18 | CN101290908A | 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法 | 2008.10.22 | 本发明的一个实施例提供一种用于获得在沟槽分割衬底上制造的各个多层结构的高质量边界的工艺。在操作期间， |
| 19 | CN101320775A | 硅衬底LED的封装方法 | 2008.12.10 | 本发明公开了一种硅衬底LED的封装方法，该方法包括：点胶，用混有荧光粉的透明胶体将LED芯片封装在反 |
| 20 | CN101295758A | 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法 | 2008.10.29 | 本发明的一个实施方式提供一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括铟镓铝氮基半导体多层结构和支持铟镓铝氮基 |
| 21 | CN101271917A | 半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法 | 2008.09.24 | 本发明公开了一种半导体发光器件的抗静电结构和及其制造方法，用来提高半导体发光器件的抗静电性能。其结构 |
| 22 | CN101271916A | 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法 | 2008.09.24 | 本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静 |
| 23 | CN101267012A | 半导体外延片的压焊方法 | 2008.09.17 | 本发明公开了一种半导体外延片的压焊方法，该方法不需要通过热阻加热方式给压焊金属加热，可以防止热阻加热 |
| 24 | CN101267013A | 半导体外延片的压焊结构 | 2008.09.17 | 本发明公开了一种半导体外延片的压焊结构，该压焊结构不需要通过热阻加热方式给压焊金属加热，可以防止压焊 |
| 25 | CN101255510A | 高强高导含铬铜合金及其制备方法 | 2008.09.03 | 本发明公开了一种高强高导含铬铜合金及其制备方法。所述铜合金含有0.35wt％～0.9wt％的Cr<S |
| 26 | CN101237017A | LED裸芯测试用的LED支架处理方法 | 2008.08.06 | 本发明涉及一种LED生产制造工艺，其公开了一种LED裸芯测试用的LED支架处理方法，包括固晶焊线工艺 |
| 27 | CN100388519C | 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法 | 2008.05.14 | 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅(111)衬底表面形成一层银过渡 |
| 28 | CN100388515C | 半导体发光器件及其制造方法 | 2008.05.14 | 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。本发明的发光器件具有上下电极结构，通过使器件发光层两侧的 |
| 29 | CN100375303C | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 | 2008.03.12 | 本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元 |
| 30 | CN100372137C | 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法 | 2008.02.27 | 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮( In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>y</SUB> |
| 31 | CN100372138C | 在硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法 | 2008.02.27 | 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在 |
| 32 | CN1331245C | 铟镓铝氮发光器件 | 2007.08.08 | 本发明公开了一种铟镓铝氮发光器件，它包括衬底、半导体叠层、引线电极和电极引线，半导体叠层中至少包括一 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 晶能光电（江西）有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 晶能光电（江西）有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
